一种二硫化钼纳米片的制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种二硫化钼纳米片的制备方法，其包括如下步骤：将含硫物和钼片放置在密闭环境中；使所述密闭环境中产生磁场并保证所述含硫物和钼片置于所述磁场中；反应一定时间后，停止磁场；降温后则可得到位于钼片边缘的二硫化钼纳米片。与现有的制备方法相比，本发明的制备方法生产设备更加简单，反应时间短，生产速度快。
基本信息
专利标题 ：
一种二硫化钼纳米片的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114455634A
申请号 ：
CN202210073853.2
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2022-01-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄青松齐瑞峰
申请人 ：
四川大学
申请人地址 ：
四川省成都市武侯区一环路南一段24号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202210073853.2
主分类号 ：
C01G39/06
IPC分类号 ：
C01G39/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01G
含有不包含在C01D或C01F小类中之金属的化合物
C01G39/00
钼的化合物
C01G39/06
硫化物
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C01G 39/06
申请日 : 20220121
申请日 : 20220121
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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