二硫化钼纳米片@硫化钴纳米颗粒阵列电极的制备方法
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摘要
本发明提供一种二硫化钼纳米片@硫化钴纳米颗粒原位阵列电极的制备方法，在基底表面水热生长二硫化钼纳米片阵列；将钴盐溶于挥发非水溶剂，并涂布到二硫化钼纳米片阵列表面，干燥待用；再将样品放在S+NH4Cl气氛中或S+双氰胺气氛中进行硫化钴纳米颗粒的CVD沉积，随炉冷却取出即可。NH4Cl或双氰胺作为刻蚀剂，适量添加有利于减小硫化钴纳米颗粒尺寸，促进二硫化钼和硫化钴的界面接触。所制备的该原位电极具有优异的电催化氢气析出反应（HER）活性。
基本信息
专利标题 ：
二硫化钼纳米片@硫化钴纳米颗粒阵列电极的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113061928A
申请号 ：
CN202110315443.X
公开（公告）日 ：
2021-07-02
申请日 ：
2021-03-24
授权号 ：
CN113061928B
授权日 ：
2022-05-20
发明人 ：
黄妞邵梅芳杨柳
申请人 ：
三峡大学
申请人地址 ：
湖北省宜昌市西陵区大学路8号
代理机构 ：
宜昌市三峡专利事务所
代理人 ：
成钢
优先权 ：
CN202110315443.X
主分类号 ：
C25B11/054
IPC分类号 ：
C25B11/054 C25B11/091 C25B1/04 B82Y40/00 B82Y30/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C25
电解或电泳工艺；其所用设备
C25B
生产化合物或非金属的电解工艺或电泳工艺；其所用的设备
C25B11/054
包含负载在载体上的电催化剂的电极
法律状态
2022-05-20 ：
授权
2021-07-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C25B 11/054
申请日 : 20210324
申请日 : 20210324
2021-07-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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