硫化铅半导体纳米颗粒的制备方法
专利权的终止
摘要
本发明涉及一种单分散硫化铅半导体纳米颗粒的前驱体热解制备方法。该方法使用的前驱体制备过程简单，原料廉价低毒，并且前驱体分子仅通过简便的化学反应即可制得单分散油溶性硫化铅半导体纳米颗粒。本发明具有原料廉价易得、操作简便、成本低，产率高等特点，适合规模化的生产；制备出的半导体纳米颗粒粒径均匀，稳定性好，有广泛的应用前景。
基本信息
专利标题 ：
硫化铅半导体纳米颗粒的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1986910A
申请号 ：
CN200510133955.5
公开（公告）日 ：
2007-06-27
申请日 ：
2005-12-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王晓波刘维民
申请人 ：
中国科学院兰州化学物理研究所
申请人地址 ：
730000甘肃省兰州市城关区天水中路18号
代理机构 ：
兰州中科华西专利代理有限公司
代理人 ：
方晓佳
优先权 ：
CN200510133955.5
主分类号 ：
C30B29/46
IPC分类号 ：
C30B29/46 C01G21/21
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/46
含硫、硒或碲的化合物
法律状态
2015-02-11 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101598341469
IPC(主分类) : C30B 29/46
专利号 : ZL2005101339555
申请日 : 20051220
授权公告日 : 20080910
终止日期 : 20131220
号牌文件序号 : 101598341469
IPC(主分类) : C30B 29/46
专利号 : ZL2005101339555
申请日 : 20051220
授权公告日 : 20080910
终止日期 : 20131220
2008-09-10 ：
授权
2007-08-22 ：
实质审查的生效
2007-06-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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