一种二硫化钼图形的制备方法
公开
摘要
本发明提供了一种二硫化钼图形的制备方法，该制备方法包括以下过程：裁剪合适大小的Mo箔图形；利用电化学阳极氧化法氧化Mo箔图形；采用改进的化学气相沉积法生长MoS2图形。该方法用于制备MoS2图形具有操作简便、实用性高、图案多样、位置灵活并且可以制备大面积薄层均匀的MoS2薄膜图形等优点。
基本信息
专利标题 ：
一种二硫化钼图形的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114293172A
申请号 ：
CN202210024954.0
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2022-01-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郑晶莹黄永丰江凡陈奇俤詹红兵
申请人 ：
福州大学
申请人地址 ：
福建省福州市闽侯县福州大学城乌龙江北大道2号福州大学
代理机构 ：
福州元创专利商标代理有限公司
代理人 ：
俞舟舟
优先权 ：
CN202210024954.0
主分类号 ：
C23C16/30
IPC分类号 ：
C23C16/30 C23C16/448 C25D11/26
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/30
沉积化合物、混合物或固溶体，例如硼化物、碳化物、氮化物
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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