一种二硫化钼纳米片材料的制备方法

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摘要

本发明公开了一种二硫化钼纳米片材料的制备方法，采用电化学方法制备，以惰性过渡金属为电极，外接电路装置定时控制阴阳极定向反应时间及电极转换时间间隔，采用电解质作为介质将二硫化钼配制成反应浆料，通过控制电解质阳离子反复插层‑脱插反应及离心、干燥等后处理步骤得到二硫化钼纳米片材料。发明制得的二硫化钼纳米片材料多数为单层二硫化钼二维材料，属于直接带隙的纳米材料，可以作为荧光材料，也可以推广应用在发光器件、光电转换、储能、催化等领域。该方法是一种环保、节能，易于实现智能化控制的纳米材料制备方法。

基本信息

专利标题：

一种二硫化钼纳米片材料的制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110817961A

申请号：

CN201911002792.5

公开（公告）日：

2020-02-21

申请日：

2019-10-21

授权号：

CN110817961B

授权日：

2022-06-14

发明人：

陈宜波郑艾龙黄丽枚黄志民

申请人：

厦门虹鹭钨钼工业有限公司

申请人地址：

福建省厦门市集美北路工业区连胜路339号

代理机构：

厦门市首创君合专利事务所有限公司

代理人：

张松亭

优先权：

CN201911002792.5

主分类号：

C01G39/06

IPC分类号：

C01G39/06 B82Y40/00