一种稳定的高纯1T相二硫化钼电极的制备方法
公开
摘要
本发明公开了一种稳定的高纯1T相二硫化钼电极的制备方法。该制备方法包括如下步骤：一、将硫源和表面附着有氧化钼或氧化钼前驱体的电极基体分别置于等离子体气相沉积设备内的不同位置。二、通过等离子体气相沉积设备将氧化钼还原为MoO3‑X。硫源被气化为硫蒸气，与MoO3‑X反应生成硫化钼；同时，向等离子体气相沉积设备中通入气相的碳源，使得碳元素掺杂到硫化钼中，得到二硫化钼电极。本发明通过PCVD的方式在电极基体上原位生成硫化钼层并掺杂碳元素，快捷地获得了表面以1T相二硫化钼为主的电极，制备过程中不需要分别控制碳源、硫源、三氧化钼源材料的温度，简化了制备工艺。
基本信息
专利标题 ：
一种稳定的高纯1T相二硫化钼电极的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114622235A
申请号 ：
CN202210199071.3
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-03-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王家德王忠远周青青袁华栋
申请人 ：
浙江工业大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市下城区潮王路18号
代理机构 ：
杭州求是专利事务所有限公司
代理人 ：
忻明年
优先权 ：
CN202210199071.3
主分类号 ：
C25B11/061
IPC分类号 ：
C25B11/061 C25B11/091 C25B1/04
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C25
电解或电泳工艺；其所用设备
C25B
生产化合物或非金属的电解工艺或电泳工艺；其所用的设备
C25B11/061
金属或合金
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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