一种利用辉钼矿制备高纯二硫化钼纳米片的电化学方法
授权
摘要
本发明公开了一种利用辉钼矿制备高纯二硫化钼纳米片的电化学方法，所得二硫化钼纳米片纯度达到99.0％以上，纳米片平均厚度仅10‑30nm。该方法包括以下制备步骤：(1)将碱金属氯化盐置于镍制反应容器中，高温熔融，随后将熔融盐温度降至反应温度；(2)将辉钼矿加入到镍制容器中，浸没于熔融盐中，以镍制容器作为阴极，以熔融盐为电解质，安装阳极进行电解；(3)电解结束后，取出阳极，惰性气氛下冷却至室温，收集阳极表面沉积物，经洗涤干燥即得高纯二硫化钼粉末。本发明方法操作简单，过程清洁，制备成本低廉；得到的二硫化钼纳米片性质稳定，用作锂离子电池负极材料时，表现出较好的储锂性能和电化学稳定性。
基本信息
专利标题 ：
一种利用辉钼矿制备高纯二硫化钼纳米片的电化学方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112899704A
申请号 ：
CN202011340272.8
公开（公告）日 ：
2021-06-04
申请日 ：
2020-11-25
授权号 ：
CN112899704B
授权日 ：
2022-04-29
发明人 ：
汪的华蒋睿赵笑宇邓艺菲胡良友
申请人 ：
武汉大学
申请人地址 ：
湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学
代理机构 ：
武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
李炜
优先权 ：
CN202011340272.8
主分类号 ：
C25B1/01
IPC分类号 ：
C25B1/01 H01M4/58 H01M10/0525 B82Y40/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C25
电解或电泳工艺；其所用设备
C25B
生产化合物或非金属的电解工艺或电泳工艺；其所用的设备
C25B1/01
产物
法律状态
2022-04-29 ：
授权
2021-06-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C25B 1/01
申请日 : 20201125
申请日 : 20201125
2021-06-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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