高纯硅的制备方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明的目的是提供用于太阳能电池中的大量低廉且高纯度的硅的制备方法。所述方法包括如下步骤：制备熔融硅；制备矿渣；将熔融硅与矿渣彼此接触；和至少将矿渣暴露于真空压力。
基本信息
专利标题 ：
高纯硅的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101137576A
申请号 ：
CN200680007450.7
公开（公告）日 ：
2008-03-05
申请日 ：
2006-02-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
伊藤信明近藤次郎冈泽健介冈岛正树
申请人 ：
新日铁高新材料
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
于辉
优先权 ：
CN200680007450.7
主分类号 ：
C01B33/027
IPC分类号 ：
C01B33/027
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B33/00
硅; 其化合物
C01B33/02
硅
C01B33/021
制备
C01B33/027
使用除二氧化硅或含二氧化硅物料以外的气态或汽化的硅化合物的分解或还原
法律状态
2010-08-25 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101006991998
IPC(主分类) : C01B 33/027
专利申请号 : 2006800074507
公开日 : 20080305
号牌文件序号 : 101006991998
IPC(主分类) : C01B 33/027
专利申请号 : 2006800074507
公开日 : 20080305
2008-04-30 ：
实质审查的生效
2008-03-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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