高纯硅的制备方法
专利权的终止
摘要

本发明的目的是提供一种用于太阳能电池的大量低廉且高纯度的硅的制备方法。本发明公开了一种通过转移硅中的杂质至矿渣中而制备高纯硅的方法,其包括如下步骤:进行第一硅的第一矿渣提纯;在完成所述第一矿渣提纯后,从第一硅分离矿渣;在第二硅的第二提纯中,将所分离的矿渣供至第二熔融硅,其中所述第二硅在提纯前的纯度低于所述第一硅在提纯后的纯度。

基本信息
专利标题 :
高纯硅的制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101137575A
申请号 :
CN200680007442.2
公开(公告)日 :
2008-03-05
申请日 :
2006-02-28
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
伊藤信明
申请人 :
新日铁高新材料
申请人地址 :
日本东京
代理机构 :
永新专利商标代理有限公司
代理人 :
于辉
优先权 :
CN200680007442.2
主分类号 :
C01B33/027
IPC分类号 :
C01B33/027  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素;其化合物
C01B33/00
硅; 其化合物
C01B33/02
C01B33/021
制备
C01B33/027
使用除二氧化硅或含二氧化硅物料以外的气态或汽化的硅化合物的分解或还原
法律状态
2015-04-15 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101605904427
IPC(主分类) : C01B 33/027
专利号 : ZL2006800074422
申请日 : 20060228
授权公告日 : 20100721
终止日期 : 20140228
2010-07-21 :
授权
2008-04-30 :
实质审查的生效
2008-03-05 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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