本发明提供了一种高纯硅芯制备方法及制备装置，涉及多晶硅生产的技术领域，高纯硅芯制备方法包括以下步骤：启动阶段：将硅芯放置在反应容器中，提升硅芯的表面温度；向反应容器中通入预热物料，以令硅芯生长；生长阶段：向反应容器中通入预热物料，并提升硅芯表面温度，使硅棒快速生长；调整阶段：对硅棒进行修复；将修复后的硅棒自反应容器中取出，并进行切割，以形成多个高纯硅芯；其中，启动阶段预热物料的流量为800‑1200kg/h，生长阶段预热物料的流量为4000‑5500kg/h。上述高纯硅芯制备方法，能够缓解硅芯在制备过程中的杂质引入和硅芯质量不均匀的问题，从而提高生产质量。