高纯硅的制备方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明涉及制备大量价格低廉的用于太阳能电池的高纯硅的方法。公开了一种通过氧化从硅中除去硼来制备高纯硅的方法，所述方法包括在氧化剂与熔融硅间开始氧化反应，并且在所述反应期间冷却至少一部分所述氧化剂。
基本信息
专利标题 ：
高纯硅的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101137578A
申请号 ：
CN200680007443.7
公开（公告）日 ：
2008-03-05
申请日 ：
2006-02-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
伊藤信明近藤次郎冈泽健介冈岛正树
申请人 ：
新日铁高新材料
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
于辉
优先权 ：
CN200680007443.7
主分类号 ：
C01B33/037
IPC分类号 ：
C01B33/037
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B33/00
硅; 其化合物
C01B33/02
硅
C01B33/037
纯化
法律状态
2010-08-18 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101004078060
IPC(主分类) : C01B 33/037
专利申请号 : 2006800074437
公开日 : 20080305
号牌文件序号 : 101004078060
IPC(主分类) : C01B 33/037
专利申请号 : 2006800074437
公开日 : 20080305
2008-04-30 ：
实质审查的生效
2008-03-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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