高纯硅的制备方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要

本发明的一个目的是提供制备大量价格低廉的用于太阳能电池的高纯硅的方法。公开了一种通过将熔融硅中的杂质转移到矿渣中来制备高纯硅的方法,其包括将矿渣和氧化剂一起加到熔融硅上的步骤,其中所述氧化剂是包含下面材料中的至少一种作为主要组分的材料:碱金属碳酸盐、碱金属碳酸盐的水合物、碱金属氢氧化物、碱土金属碳酸盐、碱土金属碳酸盐的水合物或碱土金属氢氧化物。

基本信息
专利标题 :
高纯硅的制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101137577A
申请号 :
CN200680007451.1
公开(公告)日 :
2008-03-05
申请日 :
2006-02-28
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
伊藤信明近藤次郎冈泽健介冈岛正树
申请人 :
新日铁高新材料
申请人地址 :
日本东京
代理机构 :
永新专利商标代理有限公司
代理人 :
于辉
优先权 :
CN200680007451.1
主分类号 :
C01B33/027
IPC分类号 :
C01B33/027  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素;其化合物
C01B33/00
硅; 其化合物
C01B33/02
C01B33/021
制备
C01B33/027
使用除二氧化硅或含二氧化硅物料以外的气态或汽化的硅化合物的分解或还原
法律状态
2010-08-18 :
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101004079444
IPC(主分类) : C01B 33/027
专利申请号 : 2006800074511
公开日 : 20080305
2008-04-30 :
实质审查的生效
2008-03-05 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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