无定形氧化物和场效应晶体管
授权
摘要
本发明涉及无定形氧化物和场效应晶体管。所述无定形氧化物的成分在层厚度方向上变化，并且所述无定形氧化物的电子载流子浓度为1012/cm3或更高且低于1018/cm3。其中，所述无定形氧化物是从由以下所构成的组中选择的任一种：包含从In、Zn和Sn中选择的至少一种元素的氧化物；含有In、Zn和Sn的氧化物；含有In和Zn的氧化物；含有In和Sn的氧化物；含有In的氧化物；以及包含In、Ga和Zn的氧化物。
基本信息
专利标题 ：
无定形氧化物和场效应晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN102945857A
申请号 ：
CN201210322291.7
公开（公告）日 ：
2013-02-27
申请日 ：
2005-11-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
佐野政史中川克己细野秀雄神谷利夫野村研二
申请人 ：
佳能株式会社;国立大学法人东京工业大学
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
屠长存
优先权 ：
CN201210322291.7
主分类号 ：
H01L29/26
IPC分类号 ：
H01L29/26 H01L29/78
法律状态
2015-06-03 ：
授权
2013-03-27 ：
实质审查的生效
号牌文件类型代码 : 1604
号牌文件序号 : 101425918429
IPC(主分类) : H01L 29/26
专利申请号 : 2012103222917
申请日 : 20051109
号牌文件序号 : 101425918429
IPC(主分类) : H01L 29/26
专利申请号 : 2012103222917
申请日 : 20051109
2013-02-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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