用于与金属氧化物半导体场效应晶体管集成的增强型电容器

专利申请权、专利权的转移

摘要

该发明涉及一种电容器，用于与形成于同一基板上的MOSFET器件集成。该电容器包括第一极板以及第二极板；所述第一极板，包括第一导电类型的掺杂半导体层；形成于该掺杂半导体层上表面的绝缘层；所述第二极板，包括多晶硅层，该多晶硅层形成于绝缘层上表面；反型层形成于掺杂半导体层中，位于绝缘层的下方并靠近掺杂半导体层的上表面，该反型层根据在所述的第一极板和第二极板之间施加的电压形成。还包括至少一个第二导电类型(与第一导电类型相反)的掺杂区，该掺杂区形成于与MOSFET器件中形成的第一导电类型的漏极和/或源极区域相邻的掺杂半导体层中。该掺杂区域与反型层电连接。

基本信息

专利标题：

用于与金属氧化物半导体场效应晶体管集成的增强型电容器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114464602A

申请号：

CN202210095007.0

公开（公告）日：

2022-05-10

申请日：

2022-01-26

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

许曙明吴健

申请人：

力来托半导体（上海）有限公司

申请人地址：

上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼

代理机构：

上海大视知识产权代理事务所(特殊普通合伙)

代理人：

蔡沅

优先权：

CN202210095007.0

主分类号：

H01L23/64

IPC分类号：

H01L23/64 H01L29/06 H01L29/78 H02M3/156

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L23/00

半导体或其他固态器件的零部件

H01L23/58

其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置

H01L23/64

阻抗装置

法律状态

2022-05-31 ：

专利申请权、专利权的转移

专利申请权的转移IPC(主分类) : H01L 23/64
登记生效日 : 20220518
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 力来托半导体（上海）有限公司
变更后权利人 : 上海晶丰明源半导体股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201306 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼
变更后权利人 : 201206 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区申江路5005弄3号9-12层、2号102单元

2022-05-27 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 23/64
申请日 : 20220126

2022-05-10 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

文件下载

暂无PDF文件可下载