一种低功耗场效应晶体管及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本申请公开了一种以两性离子聚合物为介电层的低功耗场效应晶体管。本发明所提供低功耗场效应晶体管制备步骤如下：首先在硅片上制备两性离子聚合物层，然后在所得两性离子聚合物层上制备有机半导体层，最后在半导体层上面蒸镀源(S)漏(D)电极。本发明以高电容、低电解风险、低漏电的两性离子聚合物作为介电层，能有效的克服传统场效应晶体管的功耗高的问题，所得晶体管具有超低功耗的特点(0.1fJ)，适用于多种半导体体系。
基本信息
专利标题 ：
一种低功耗场效应晶体管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497372A
申请号 ：
CN202111639872.9
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄伟国王冬晖吴孝嵩
申请人 ：
闽都创新实验室;中国科学院福建物质结构研究所
申请人地址 ：
福建省福州市闽侯县上街镇海西高新区科技园高新大道8号
代理机构 ：
北京元周律知识产权代理有限公司
代理人 ：
孙小万
优先权 ：
CN202111639872.9
主分类号 ：
H01L51/05
IPC分类号 ：
H01L51/05 H01L51/40
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 51/05
申请日 : 20211229
申请日 : 20211229
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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