一种铁电场效应晶体管及其制备方法
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摘要
本发明公开了一种铁电场效应晶体管，包括：衬底层、栅绝缘层、第一缓冲层、中间介质层、第二缓冲层、栅电极层、源电极及漏电极；衬底层设置有源极区、漏极区和绝缘覆盖区，其中源极区与漏极区间隔设置；源极区上设置有源电极，漏极区上设置有漏电极，且绝缘覆盖区由下至上依次层叠设置栅绝缘层、第一缓冲层、中间介质层、第二缓冲层及栅电极层。该晶体管通过增加第一缓冲层和第二缓冲层，一方面缓冲层的沉积可起到界面诱导作用，并且由于晶格匹配度相当，可避免引起较大的晶格畸变；另一方面在第一缓冲层和第二缓冲层的加持作用，有利于生成元素掺杂的铁电薄膜并对铁电薄膜的铁电性起到促进作用。
基本信息
专利标题 ：
一种铁电场效应晶体管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110459611A
申请号 ：
CN201910764404.0
公开（公告）日 ：
2019-11-15
申请日 ：
2019-08-19
授权号 ：
CN110459611B
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
廖敏郇延伟
申请人 ：
湘潭大学
申请人地址 ：
湖南省湘潭市雨湖区羊牯塘27号
代理机构 ：
北京中政联科专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈超
优先权 ：
CN201910764404.0
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/51 H01L21/336 H01L21/28
法律状态
2022-05-24 ：
授权
2019-12-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20190819
申请日 : 20190819
2019-11-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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