集成芯片、铁电场效应晶体管器件及其形成方法
实质审查的生效
摘要
本公开涉及一种铁电场效应晶体管器件。铁电场效应晶体管器件包括具有第一侧和第二侧的铁电结构。栅极结构沿铁电结构的第一侧设置，并且氧化物半导体沿铁电结构的第二侧设置。氧化物半导体具有第一半导体类型。源极区域和漏极区域设置在氧化物半导体上。栅极结构横向介于源极区域和漏极区域之间。极化增强结构在源极区域和漏极区域之间布置在氧化物半导体上。极化增强结构包括具有不同于第一半导体类型的第二半导体类型的半导体材料或氧化物半导体材料。本发明的实施例还涉及集成芯片及形成铁电场效应晶体管器件的方法。
基本信息
专利标题 ：
集成芯片、铁电场效应晶体管器件及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497072A
申请号 ：
CN202210016373.2
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张志宇马礼修李泓纬林佑明
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹
代理机构 ：
北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理人 ：
章社杲
优先权 ：
CN202210016373.2
主分类号 ：
H01L27/11585
IPC分类号 ：
H01L27/11585 H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/11585
申请日 : 20220107
申请日 : 20220107
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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