鳍式场效应晶体管器件和方法
授权
摘要
方法包括去除第一鳍上方的伪栅极结构的第一部分，同时保留第二鳍上方的伪栅极结构的第二部分，其中，去除第一部分形成暴露第一鳍的第一凹槽；在第一凹槽中和第一鳍上方形成第一栅极介电材料；以及去除第二鳍上方的伪栅极结构的第二部分，其中，去除第二部分形成暴露第二鳍的第二凹槽。该方法还包括在第二凹槽中和第二鳍上方形成第二栅极介电材料，第二栅极介电材料接触第一栅极介电材料；以及用导电材料填充第一凹槽和第二凹槽。本发明的实施例还涉及鳍式场效应晶体管器件和方法。
基本信息
专利标题 ：
鳍式场效应晶体管器件和方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109427889A
申请号 ：
CN201711130153.8
公开（公告）日 ：
2019-03-05
申请日 ：
2017-11-15
授权号 ：
CN109427889B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
张铭庆杨宝如林毓超
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹
代理机构 ：
北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理人 ：
章社杲
优先权 ：
CN201711130153.8
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2019-03-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20171115
申请日 : 20171115
2019-03-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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