相变薄膜场效应晶体管单元器件及其制作方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明是一种相变薄膜场效应晶体管单元器件及其制作方法。其特征在于用相变材料替代场效应晶体管中的半导体材料硅，利用相变材料的电致相变特性和半导体特性，同时在一个器件中实现场效应晶体管特性和存储功能。同时，本发明还包括该种新型器件的制作方法：直接利用氧化硅片作为衬底(栅极)/绝缘层的结构，再在该衬底上方制备源、漏电极，通过剥离沉积的相变材料薄膜形成简单的相变薄膜场效应晶体管单元器件。该方法制备工艺极其简单，成本低廉，有利于提高生产效率，降低成本，从而推动相变薄膜场效应晶体管的实际应用。
基本信息
专利标题 ：
相变薄膜场效应晶体管单元器件及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1845339A
申请号 ：
CN200610024614.9
公开（公告）日 ：
2006-10-11
申请日 ：
2006-03-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张挺宋志棠冯高明刘波封松林陈邦明
申请人 ：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请人地址 ：
200050上海市长宁区长宁路865号
代理机构 ：
上海智信专利代理有限公司
代理人 ：
潘振甦
优先权 ：
CN200610024614.9
主分类号 ：
H01L29/786
IPC分类号 ：
H01L29/786 H01L21/336
法律状态
2008-11-26 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-12-06 ：
实质审查的生效
2006-10-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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