一种薄膜型绝缘栅场效应晶体管的制造方法
专利权的终止
摘要
本发明公开了一种制造绝缘栅型场效应晶体管的改进的方法的。根据此方法，栅极与和它电连接的布线一起由象铝那样的金属形成。通过将栅极作为阳极浸于电解液巾，而使之阳极氧化，形成覆盖它的金属氧化物。由于在阳极化处理之前连接的布线上覆盖有合适的有机膜层，因而无氧化铝在其上形成，这样可以通过常规腐蚀除去连接的布线。
基本信息
专利标题 ：
一种薄膜型绝缘栅场效应晶体管的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1145533A
申请号 ：
CN96103218.9
公开（公告）日 ：
1997-03-19
申请日 ：
1993-05-08
授权号 ：
CN1115722C
授权日 ：
2003-07-23
发明人 ：
张宏勇鱼地秀贵安达广树小山到山崎舜平
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县厚木市
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
萧掬昌
优先权 ：
CN96103218.9
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L21/70 H01L21/336 H01L21/28
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2013-07-03 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101481532349
IPC(主分类) : H01L 21/768
专利号 : ZL961032189
申请日 : 19930508
授权公告日 : 20030723
终止日期 : 20120508
号牌文件序号 : 101481532349
IPC(主分类) : H01L 21/768
专利号 : ZL961032189
申请日 : 19930508
授权公告日 : 20030723
终止日期 : 20120508
2003-07-23 ：
授权
1997-03-19 ：
公开
1997-02-26 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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