增强－耗尽场效应晶体管结构及其制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明涉及带有增强型晶体管和耗尽型晶体管的晶体管结构。为允许良好地控制两个晶体管的制造，使用了分别由第一和第二半导体材料制成的第一肖特基层(10)和第二肖特基层(12)。第一和第二半导体材料具有至少0.5V的能带隙。对于n型晶体管，第二肖特基层具有与第一肖特基层的低的传导带不连续性。在用于制成晶体管的方法中第一和第二肖特基层用作蚀刻停止层。晶体管优选地是HEMT。
基本信息
专利标题 ：
增强－耗尽场效应晶体管结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101027776A
申请号 ：
CN200580032251.7
公开（公告）日 ：
2007-08-29
申请日 ：
2005-09-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
P·M·M·鲍德特H·马赫
申请人 ：
皇家飞利浦电子股份有限公司
申请人地址 ：
荷兰艾恩德霍芬
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
原绍辉
优先权 ：
CN200580032251.7
主分类号 ：
H01L27/06
IPC分类号 ：
H01L27/06 H01L27/095 H01L27/088
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/06
在非重复结构中包括有多个单个组件的
法律状态
2009-04-08 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-07-16 ：
专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 皇家飞利浦电子股份有限公司
变更后权利人 : 奥米克有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 荷兰艾恩德霍芬
变更后权利人 : 法国利梅伊-布雷瓦讷
登记生效日 : 20080613
变更前权利人 : 皇家飞利浦电子股份有限公司
变更后权利人 : 奥米克有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 荷兰艾恩德霍芬
变更后权利人 : 法国利梅伊-布雷瓦讷
登记生效日 : 20080613
2007-11-28 ：
实质审查的生效
2007-08-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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