用于场效应晶体管的ESD防护结构以及场效应晶体管
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摘要
公开了一种用于场效应晶体管的ESD防护结构以及场效应晶体管。该ESD防护结构，包括衬底，以及依次设置在衬底上的外延层、第一绝缘层、多晶硅层、第二绝缘层和两个电极，两个电极分别穿过第二绝缘层与多晶硅层连接，其中，多晶硅层为N型掺杂；多晶硅层中设有多个间隔设置的P型掺杂区，多个P型掺杂区沿某一电极朝向另一电极的方向排布，且P型掺杂区的底部位于多晶硅层中。本申请公开的ESD防护结构，通过在多晶硅层中形成多个深度小于多晶硅层厚度的P型掺杂区，不仅可以有效解决静电放电问题，而且还可以吸收栅源间的瞬间电压脉冲，有效地保护场效应晶体管的栅氧化层，避免被击穿，提高场效应晶体管的可靠性并延长其使用寿命。
基本信息
专利标题 ：
用于场效应晶体管的ESD防护结构以及场效应晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021675343.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-12
授权号 ：
CN213184285U
授权日 ：
2021-05-11
发明人 ：
李东镁张薇邢康伟刘刚
申请人 ：
北京锐达芯集成电路设计有限责任公司
申请人地址 ：
北京市大兴区经济技术开发区科创十四街99号33幢D栋二层2192号
代理机构 ：
北京成创同维知识产权代理有限公司
代理人 ：
蔡纯
优先权 ：
CN202021675343.5
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L29/78
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2021-05-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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