一种具有漏电防护结构的场效应晶体管
授权
摘要
本实用新型涉及半导体晶体管技术领域，具体涉及一种具有漏电防护结构的场效应晶体管，包括晶体管本体、方形空槽、卡接组件、保险丝、引线针脚、盖板和滑动限位组件，晶体管本体的外壁开设有方形空槽，方形空槽内设置有卡接组件及设置在卡接组件内壁的保险丝，保险丝的一端设置有引线针脚，靠近方形空槽顶部的位置卡接有盖板，方形空槽的内壁两侧设置有限位盖板的滑动限位组件；本实用新型采用保险丝将引线针脚与晶体管本体连接，当晶体管短路时熔断的保险丝使与电子器件的通路断路，有效的保证了电子器件的安全，避免了因晶体管短路漏电的问题而导致的电子器件损坏，并且本实用新型的保险丝通过卡接方式安装，无需其他工具。
基本信息
专利标题 ：
一种具有漏电防护结构的场效应晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123333947.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-28
授权号 ：
CN216597579U
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
史伟民蔡斌君
申请人 ：
上海恒灼科技有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼
代理机构 ：
上海邦德专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
周念沙
优先权 ：
CN202123333947.9
主分类号 ：
H01L23/62
IPC分类号 ：
H01L23/62 H01L23/32 H01L29/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/58
其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置
H01L23/62
防过电流或过电负荷保护装置，例如熔丝、分路器
法律状态
2022-05-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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