多闸极场效应晶体管结构
授权
摘要
本发明是有关于一种用于形成可达6个场效应晶体管元件的多闸极区域场效应晶体管元件及其形成方法，该元件包括：一包括半导体材料的多鳍状结构，设置在基材之上；该多鳍状结构包括实质平行间隔分开的侧壁部分，每一侧壁部分包括主要内、外表面与上表面；其中每一表面包括一表面用以形成一场效应晶体管于其上。本发明包括多闸极区域的先进CMOS FET元件结构，其具有改进的元件速度与性能以适用于形成先进的集成电路元件。
基本信息
专利标题 ：
多闸极场效应晶体管结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1828899A
申请号 ：
CN200610003776.4
公开（公告）日 ：
2006-09-06
申请日 ：
2006-02-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐祖望谢志宏陶宏远张长昀钟堂轩吕昇达
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路8号
代理机构 ：
北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
寿宁
优先权 ：
CN200610003776.4
主分类号 ：
H01L27/088
IPC分类号 ：
H01L27/088 H01L21/8234
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
法律状态
2009-06-10 ：
授权
2006-10-25 ：
实质审查的生效
2006-09-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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