垂直场效应晶体管和用于构造垂直场效应晶体管的方法
公开
摘要
提供一种垂直场效应晶体管(100)，该垂直场效应晶体管具有：具有第一导电类型的漂移区(112)、在所述漂移区(112)上面或者在所述漂移区(112)上方的沟槽结构(102)、屏蔽结构(118，119)和源/漏电极(151，152)。沟槽结构(102)具有至少一个侧壁，在所述侧壁上构造场效应晶体管(FET)沟道区，其中，所述FET沟道区具有用于在III‑V族异质结构(117，121)的界面上构造二维电子气的III‑V族异质结构(117，121)。屏蔽结构横向地布置在所述沟槽结构(102)的至少一个侧壁旁边，并且垂直地延伸到所述漂移区(112)中，或者垂直地在所述漂移区(112)的方向上比所述沟槽结构(102)更远地延伸。屏蔽结构(118，119)具有不同于第一导电类型的第二导电类型。源/漏电极(151)与沟槽结构(102)的III‑V族异质结构(117，121)和屏蔽结构(118，119)导电连接。
基本信息
专利标题 ：
垂直场效应晶体管和用于构造垂直场效应晶体管的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114375499A
申请号 ：
CN202080060851.9
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2020-07-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
J·巴林豪斯
申请人 ：
罗伯特·博世有限公司
申请人地址 ：
德国斯图加特
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
郭毅
优先权 ：
CN202080060851.9
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L29/20 H01L29/10 H01L29/06
法律状态
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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