垂直堆叠的互补场效应晶体管及其制造方法
公开
摘要
本发明公开了一种垂直堆叠的互补场效应晶体管及其制造方法，包括衬底、第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管垂直堆叠在所述衬底上，所述第一晶体管包括第一沟道层，所述第二晶体管包括第二沟道层，所述第一沟道层为采用化学气相沉积法制备的单层MoS2层，所述第二沟道层为采用化学气相沉积法制备的单层WSe2层。通过将两个晶体管垂直堆叠，并配合减小各晶体管中沟道层的厚度，可以极限减小晶体管的布局面积和厚度，从而达到在平面和纵向同时极限微缩的目的。
基本信息
专利标题 ：
垂直堆叠的互补场效应晶体管及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613772A
申请号 ：
CN202210243018.9
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-03-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘孟淦杨冠华李泠卢年端
申请人 ：
中国科学院微电子研究所
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京华沛德权律师事务所
代理人 ：
房德权
优先权 ：
CN202210243018.9
主分类号 ：
H01L27/092
IPC分类号 ：
H01L27/092 H01L21/8238 H01L21/02 H01L29/24
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
H01L27/092
互补MIS场效应晶体管
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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