低功耗场效应管
授权
摘要
本实用新型公开一种低功耗场效应管，包括漏极金属层、耐压漂移层、P型阱区、N+源区、绝缘层、碳化硅隔板、第一碳化硅栅极、第二碳化硅栅极及源区金属，所述耐压漂移层位于所述漏极金属层上方，所述P型阱区位于耐压漂移层上表面的端部，所述N+源区位于所述P型阱区的上方的中部位置；所述绝缘层包覆所述碳化硅隔板、所述第一碳化硅栅极及所述第二碳化硅栅极，并位于所述耐压漂移层的上方；所述源区金属覆盖在所述绝缘层上，所述第一碳化硅栅极及所述第二碳化硅栅极均与所述碳化硅隔板间隔设置，所述碳化硅隔板至少部分位于所述第一碳化硅栅极与所述第二碳化硅栅极之间，所述碳化硅隔板与所述源区金属电连接。本实用新型具有体积小，功耗低的优点。
基本信息
专利标题 ：
低功耗场效应管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921508687.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-09
授权号 ：
CN211150563U
授权日 ：
2020-07-31
发明人 ：
刘道国
申请人 ：
深圳市精芯智能半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区西乡街道乐群社区银田共乐工业区36号A1508
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201921508687.4
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/423 H01L29/78
法律状态
2020-07-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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