碳化硅结型场效应管
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种碳化硅结型场效应管。该碳化硅结型场效应管包括碳化硅衬底(101)、设置在碳化硅衬底上的碳化硅外延层(102)、阻断注入区(103)、设置在碳化硅外延层(102)的左右两侧的两个栅极注入区(104)和两个源极注入区(105)、以及栅极金属电极(107)和源极金属电极(106)，该栅极注入区(104)的正向截面为L型，包括竖直边和垂直边，在侧向沿整个碳化硅外延层(102)延伸，两个栅极注入区(104)的L型截面的竖直边相背对；源极注入区(105)设置在对应的L型截面的横边上，沿整个碳化硅外延层(102)的侧向延伸，阻断注入区(103)与两个栅极注入区(104)的L型截面的竖直边分别通过第一连通柱(110)相连接。
基本信息
专利标题 ：
碳化硅结型场效应管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512533A
申请号 ：
CN202011283253.6
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2020-11-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张梓豪
申请人 ：
派恩杰半导体（杭州）有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市萧山区平澜路518号悦盛国际中心603室
代理机构 ：
北京知夏律师事务所
代理人 ：
孙海龙
优先权 ：
CN202011283253.6
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/08 H01L29/808
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20201117
申请日 : 20201117
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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