一种碳化硅和硅异质结逆导型IGBT
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种碳化硅和硅异质结逆导型IGBT，其包括集电极结构；所述集电极结构为多层结构，由底层到顶层依次为P+集电极区和N+集电极区、位于P+集电极区和N+集电极区上方的N+缓冲层、位于N+缓冲层上方的N漂移区，位于漂移区的上方的表面结构，所述P+集电极区的集电极接触为欧姆接触，N+集电极区的集电极接触为肖特基接触；所述N+集电极区使用碳化硅材料制成，所述P+集电极区、N+缓冲层、N漂移区、表面结构均使用硅材料制成。设计除了N+集电极区由碳化硅材料制成，其余区域都由硅材料制成，且N+集电极区的集电极接触为肖特基接触，利用碳化硅肖特基结压降较高的特性，消除电压折回现象。
基本信息
专利标题 ：
一种碳化硅和硅异质结逆导型IGBT
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551581A
申请号 ：
CN202210188984.5
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-03-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张新峰黄宏嘉帝玛陈善亮杨祚宝王霖弓小武袁嵩龙安泽曹金星应艳阳杜陈张函
申请人 ：
江苏卓远半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省南通市如皋市城南街道电信东一路6号
代理机构 ：
北京汇信合知识产权代理有限公司
代理人 ：
孙腾
优先权 ：
CN202210188984.5
主分类号 ：
H01L29/165
IPC分类号 ：
H01L29/165 H01L29/47 H01L29/739
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/165
申请日 : 20220301
申请日 : 20220301
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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