一种碳化硅异质结二极管功率器件
授权
摘要
本实用新型提供一种碳化硅异质结二极管功率器件。异质结二极管利用不同的半导体材料的能带隙，其性能非常接近理想二极管，对半导体技术具有重大影响。相比于传统碳化硅SBD和PiN二极管而言具有更小的导通压降，且可以在异质结层上通过不同的掺杂形成不同的势垒差随即获得不同的导通压降。因此本实用新型有助于大幅降低功率二极管的开通损耗。且本实用新型在减小二极管正向导通压降的同时对二极管的反向击穿电压不产生或仅产生极小的影响。
基本信息
专利标题 ：
一种碳化硅异质结二极管功率器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921298232.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-12
授权号 ：
CN210325811U
授权日 ：
2020-04-14
发明人 ：
吴昊佟俊宏陈然黄兴陈欣璐
申请人 ：
派恩杰半导体（杭州）有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市滨江区浦沿街道六和路368号一幢（北）四楼B4051室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201921298232.4
主分类号 ：
H01L29/861
IPC分类号 ：
H01L29/861 H01L29/06 H01L21/329
法律状态
2020-04-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
