功率半导体器件的二极管结构
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摘要
本发明公开功率半导体器件的二极管结构。一种功率半导体器件，包括耦合到第一负载端子和第二负载端子中的每一个的半导体主体。半导体主体包括具有第一导电类型的掺杂剂的漂移区；至少一个二极管结构，其配置成在所述端子之间传导负载电流并且包括电气连接到第一负载端子的阳极端口和电气连接到第二负载端子的阴极端口；具有以比漂移区更高的掺杂剂浓度的第一导电类型的掺杂剂的场停止区，其中场停止区布置在阴极端口与漂移区之间。阴极端口包括具有第一导电类型的掺杂剂的第一端口部分和具有与第一导电类型互补的第二导电类型的掺杂剂的第二端口部分，第二端口部分中的每一个与场停止区之间的过渡形成相应pn结，所述pn结沿第一横向方向延伸。
基本信息
专利标题 ：
功率半导体器件的二极管结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN107845678A
申请号 ：
CN201710850954.5
公开（公告）日 ：
2018-03-27
申请日 ：
2017-09-20
授权号 ：
CN107845678B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
R.巴布尔斯克P.C.布兰特J.G.拉文
申请人 ：
英飞凌科技股份有限公司
申请人地址 ：
德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
申屠伟进
优先权 ：
CN201710850954.5
主分类号 ：
H01L29/739
IPC分类号 ：
H01L29/739 H01L29/861 H01L29/78 H01L21/329
法律状态
2022-04-08 ：
授权
2018-04-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/739
申请日 : 20170920
申请日 : 20170920
2018-03-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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