功率半导体器件的二极管结构
公开
摘要
本发明公开功率半导体器件的二极管结构。功率半导体器件包括：半导体主体，耦合到第一负载端子和第二负载端子。主体包括：至少一个二极管结构，被配置为在端子之间传导负载电流并且包括电气连接到第一负载端子的阳极端口和电气连接到第二负载端子的阴极端口；以及相同导电类型的漂移区和场停止区。阴极端口包括具有相对导电类型的第一端口部分和第二端口部分。第二端口部分中的每个和场停止区之间的过渡形成沿第一横向方向延伸的相应pn结。第二端口部分中的紧邻的第二端口部分之间的横向分离距离在第二组中比在第一组中小。
基本信息
专利标题 ：
功率半导体器件的二极管结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582969A
申请号 ：
CN202210268887.7
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2017-09-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
R.巴布尔斯克P.C.布兰特J.G.拉文
申请人 ：
英飞凌科技股份有限公司
申请人地址 ：
德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－15号
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
申屠伟进
优先权 ：
CN202210268887.7
主分类号 ：
H01L29/739
IPC分类号 ：
H01L29/739 H01L29/861 H01L29/78 H01L21/329
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
