一种碳化硅功率二极管
授权
摘要
本实用新型涉及半导体器件技术领域，公开了一种碳化硅功率二极管，该碳化硅功率二极管包括衬底、漂移层和第一欧姆金属层，漂移层形成于衬底一侧的表面，漂移层远离衬底的表面具有有源区，有源区包括间隔的多个第一P+注入区和间隔的多个第二P+注入区，各第一P+注入区的结深大于各第二P+注入区的结深，且漂移层上各第一P+注入区背离衬底的一侧均为豁口结构；第一欧姆金属层与第一P+注入区一一对应，各第一欧姆金属层位于对应的豁口结构中，并与对应的第一P+注入区欧姆接触。该碳化硅功率二极管能够提高碳化硅结势垒肖特基二极管的抗浪涌电流能力。
基本信息
专利标题 ：
一种碳化硅功率二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020371789.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-23
授权号 ：
CN211350654U
授权日 ：
2020-08-25
发明人 ：
陈道坤史波曾丹马颖江
申请人 ：
珠海零边界集成电路有限公司;珠海格力电器股份有限公司
申请人地址 ：
广东省珠海市香洲区吉大景山路莲山巷8号1001室
代理机构 ：
北京同达信恒知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘红彬
优先权 ：
CN202020371789.2
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/868 H01L29/872 H01L21/329
法律状态
2020-08-25 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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