一种碳化硅功率二极管
授权
摘要
本实用新型涉及半导体技术领域，公开一种碳化硅功率二极管，包括：碳化硅衬底；形成于碳化硅衬底一侧的N型碳化硅外延层，N型碳化硅外延层表面具有有源区以及围绕有源区的场限环终端区；有源区包括多个间隔设置的N型区以及位于相邻两个N型区之间的P+区；N型区的掺杂浓度高于N型碳化硅外延层的掺杂浓度；场限环终端区包括多个间隔设置的P+区；形成于至少一个N型区的第一肖特基接触金属；形成于N型碳化硅外延层的阳极金属层，阳极金属层包括阳极金属和第二肖特基接触金属，第一肖特基接触金属与N型区形成的接触势垒低于第二肖特基接触金属与N型区形成的接触势垒，用于降低碳化硅功率二极管的正向导通压降。
基本信息
专利标题 ：
一种碳化硅功率二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020128041.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-01-19
授权号 ：
CN211828777U
授权日 ：
2020-10-30
发明人 ：
陈道坤史波曾丹敖利波
申请人 ：
珠海零边界集成电路有限公司;珠海格力电器股份有限公司
申请人地址 ：
广东省珠海市香洲区吉大景山路莲山巷8号1001室
代理机构 ：
北京同达信恒知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘红彬
优先权 ：
CN202020128041.X
主分类号 ：
H01L29/872
IPC分类号 ：
H01L29/872 H01L21/335 H01L29/16
法律状态
2020-10-30 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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