一种碳化硅二极管
授权
摘要
本实用新型公开了一种碳化硅二极管，该碳化硅二极管包括一碳化硅衬底(11)、一碳化硅外延层(12)、一图形化的场板介质层(16b)、一图形化的肖特基接触电极(17b)和一欧姆接触电极层(18)；碳化硅外延层(12)设置于碳化硅衬底(11)的正面；在碳化硅外延层(12)内且沿着碳化硅外延层(12)的上表面设置有图形化的离子注入区(15)；碳化硅外延层(12)的上表面设置有图形化的场板介质层(16b)，且碳化硅外延层(12)的上表面未图形化的场板介质层(16b)覆盖的区域设置有图形化的肖特基接触电极(17b)；图形化的场板介质层(16b)的上表面的部分区域被图形化的肖特基接触电极(17b)覆盖，其余区域裸露；欧姆接触电极层(18)设置于碳化硅衬底(11)的背面。
基本信息
专利标题 ：
一种碳化硅二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922404007.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-27
授权号 ：
CN210926028U
授权日 ：
2020-07-03
发明人 ：
郑柳何钧
申请人 ：
重庆伟特森电子科技有限公司
申请人地址 ：
重庆市北碚区云汉大道117号附237号
代理机构 ：
重庆中流知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
郭桂林
优先权 ：
CN201922404007.0
主分类号 ：
H01L29/872
IPC分类号 ：
H01L29/872 H01L29/06 H01L21/04 H01L21/329
法律状态
2020-07-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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