一种低损耗的碳化硅二极管
授权
摘要
本实用新型属于二极管技术领域，尤其为一种低损耗的碳化硅二极管，包括L型底座，所述L型底座的内底壁设有放置槽，所述放置槽的内底壁对称设有两组导电针脚组件，所述导电针脚组件中设有碳化硅芯片，所述碳化硅芯片的顶部设有散热组件，所述散热组件包括凹型散热板，所述凹型散热板连接在L型底座的内底壁上，所述凹型散热板的两侧对称设有散热片，所述凹型散热板的内顶壁与碳化硅芯片的顶部相互贴合。本实用新型通过凹型散热板与碳化硅芯片的顶部相互接触，而散热片又是位于凹型散热板的两侧，当碳化硅芯片在工作产生热量时，凹型散热板与散热片可对碳化硅芯片进行有效散热，可保证该碳化硅芯片能够实现低损耗的优良性能。
基本信息
专利标题 ：
一种低损耗的碳化硅二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122530245.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-20
授权号 ：
CN216311765U
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
何海洋胡健峰彭强
申请人 ：
无锡市查奥微电子科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区菱湖大道111号无锡软件园天鹅座D座562室
代理机构 ：
南京北辰联和知识产权代理有限公司
代理人 ：
王俊
优先权 ：
CN202122530245.3
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367 H01L29/861
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2022-04-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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