一种低损耗小体积的肖特基二极管
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种低损耗小体积的肖特基二极管，包括绝缘封装壳、肖特基芯片、阴极引脚、阳极引脚，其特征在于，所述绝缘封装壳包括第一封装体、第二封装体、第三封装体，所述肖特基芯片固定在所述第一封装体内侧，所述肖特基芯片、第一封装体上端覆盖有第一ITO导电膜，所述第一ITO导电膜一端延伸至所述第一封装体右侧，所述阳极引脚一端与所述第一ITO导电膜相抵触并且固定在所述第一封装体右侧，所述肖特基芯片、第一封装体下端覆盖有第二ITO导电膜，所述第二ITO导电膜一端延伸至所述第一封装体左侧，所述阴极引脚一端与所述第二ITO导电膜相抵触并且固定在所述第一封装体右侧。本发明的肖特基二极管，具有低损耗、小体积、快速散热的特点。
基本信息
专利标题 ：
一种低损耗小体积的肖特基二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497234A
申请号 ：
CN202210086720.9
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
许卫林
申请人 ：
先之科半导体科技（东莞）有限公司
申请人地址 ：
广东省东莞市寮步镇寮步百业路70号1栋、2栋
代理机构 ：
东莞市永桥知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
何新华
优先权 ：
CN202210086720.9
主分类号 ：
H01L29/872
IPC分类号 ：
H01L29/872 H01L23/498 H01L23/367 H01L23/31
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/872
申请日 : 20220125
申请日 : 20220125
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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