一种低功率损耗新型碳化硅二极管
专利申请权、专利权的转移
摘要

本实用新型公开一种低功率损耗新型碳化硅二极管,碳化硅二极管封装体将散热基体第一侧面上的晶片封装,散热基板第二侧面暴露于外部,散热顺畅。碳化硅二极管封装体第一侧、第二侧分别设有若干条形散热板,晶片工作时的热量传导至碳化硅二极管封装体上,再经条形散热板发散出去,条形散热板第一端与散热基板连接,散热基板上的热量还可从相邻两条形散热板之间的空位发散出去,增加散热有效面积,及时散热,降低功耗。条形散热板除用于散热,还可便于二极管的转运,相邻两二极管上的条形散热板相互插接插接即可拼接多个二极管,降低组装空间,方便批量转运二极管。

基本信息
专利标题 :
一种低功率损耗新型碳化硅二极管
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201922141595.3
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-11-29
授权号 :
CN210897254U
授权日 :
2020-06-30
发明人 :
赵喜高
申请人 :
深圳市可易亚半导体科技有限公司
申请人地址 :
广东省深圳市福田区车公庙天吉大厦CD座5C1
代理机构 :
深圳市中科创为专利代理有限公司
代理人 :
梁炎芳
优先权 :
CN201922141595.3
主分类号 :
H01L23/367
IPC分类号 :
H01L23/367  H01L23/373  H01L29/861  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置;加热装置;通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择,例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2021-02-02 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 23/367
登记生效日 : 20210121
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 深圳市可易亚半导体科技有限公司
变更后权利人 : 广东可易亚半导体科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 518000 广东省深圳市福田区车公庙天吉大厦CD座5C1
变更后权利人 : 518000 广东省深圳市福田区沙头街道天安社区泰然五路10号天安数码城天吉大厦五层CD座5C1
2020-06-30 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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