一种场板结构的碳化硅功率二极管及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种场板结构的碳化硅功率二极管及其制备方法，其中该功率二极管是由碳化硅与氧化铝组成。本发明首先利用FP和Al2O3在SiC半导体工艺中实现横向渐变掺杂，然后将这种渐变掺杂应用到JTE结构中，用来解决传统双区JTE终端结构中击穿电压小、JTE区掺杂浓度窗口窄等问题。在Al2O3的高介电常数特性和FP技术的共同作用下会在JTE区上方产生强度合适的电场，用来调控JTE内部空穴在纵向空间当中的不均匀分布，避免空穴过于集中在Al2O3与JTE区的界面处。所以，本发明中的SiC功率二极管不仅拥有大击穿电压、宽JTE区掺杂浓度窗口，而且制备难度低、易操作，这大大提高了PiN功率二极管的工作性能。
基本信息
专利标题 ：
一种场板结构的碳化硅功率二极管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551602A
申请号 ：
CN202210186426.5
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-02-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
余晨辉沈倪明陈红富秦嘉怡成田恬罗曼
申请人 ：
南通大学
申请人地址 ：
江苏省南通市崇川区啬园路9号
代理机构 ：
南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
马玉雯
优先权 ：
CN202210186426.5
主分类号 ：
H01L29/861
IPC分类号 ：
H01L29/861 H01L29/36 H01L29/16 H01L29/06 H01L21/329
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/861
申请日 : 20220228
申请日 : 20220228
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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