具有埋层结构的碳化硅MPS二极管及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开的碳化硅MPS二极管，包括：从下至上叠层设置的阴极欧姆接触电极、碳化硅N+衬底及碳化硅N‑外延层；在碳化硅N‑外延层的顶部形成有两个P+注入区，两个P+注入区分别通过两个P+埋层Ⅱ与两个P+埋层Ⅰ的顶部接触，P+注入区、P+埋层Ⅰ的宽度大于P+埋层Ⅱ；在两个P+注入区的顶部设置有两个欧姆接触电极，在两个欧姆接触电极之间设置肖特基接触电极。利用窄的P+埋层Ⅱ连接P+注入区和P+埋层Ⅰ，在外延层内部增加了PN结比例，消除了MPS二极管正向导通时的snapback现象；同时降低MPS二极管从单极性工作状态到双极性工作状态的转折电压，从而使二极管在较低的正向电流下进入双极性工作状态，使二极管的大电流工作温度降低，拥有更高的抗浪涌电流能力。
基本信息
专利标题 ：
具有埋层结构的碳化硅MPS二极管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267718A
申请号 ：
CN202111528424.1
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-12-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
罗茂久邢婷婷钮应喜袁松彭强乔庆楠
申请人 ：
芜湖启迪半导体有限公司
申请人地址 ：
安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区服务外包园3号楼1803
代理机构 ：
芜湖安汇知识产权代理有限公司
代理人 ：
钟雪
优先权 ：
CN202111528424.1
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/868 H01L29/872 H01L21/329
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20211214
申请日 : 20211214
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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