一种三结终端扩展结构的碳化硅功率二极管及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种三结终端扩展结构的碳化硅功率二极管及其制备方法。此器件主要结构为圆柱结构，自下至上依次为N+型SiC衬底层、N‑型SiC漂移层、P+型SiC层；此器件的三个JTE结构，环绕P+型SiC层呈同心圆状自内向外扩展，同为P型杂质掺杂，但掺杂大小和均匀度各不相同；上下电极分别自P+型SiC层与N+型SiC衬底层处引出。其中G‑JTE2层的渐变杂质掺杂，是通过引入石墨烯作为掩膜层的离子注入技术及掩膜层的垂直位移控制技术来实现的。本发明创造性地改进了SiC渐变杂质掺杂的工艺和器件JTE结构，能够降低JTE技术中设计杂质浓度的难度，增大器件的击穿电压与JTE层掺杂剂量窗口。
基本信息
专利标题 ：
一种三结终端扩展结构的碳化硅功率二极管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497189A
申请号 ：
CN202210132759.X
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-02-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
余晨辉陈红富沈倪明罗曼
申请人 ：
南通大学
申请人地址 ：
江苏省南通市崇川区啬园路9号
代理机构 ：
南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
马玉雯
优先权 ：
CN202210132759.X
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/861 H01L21/329 H01L21/266
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20220214
申请日 : 20220214
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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