高功率发光二极管结构
专利权的终止
摘要

本实用新型涉及一种高功率发光二极管结构,包括:第一支架、第二支架、一发光芯片、二连接导线及一透光层,其中该第一支架向两边弯折形成对应的支脚,且该第一支架中间形成一大面积结合部,该大面积结合部上形成一凹杯,第一支架从中间一侧延伸第一定位片体至一侧支脚上,第一支架从中间另一侧延伸第二定位片体至另一侧边,该第二支架向两边弯折形成对应的支脚,发光芯片置于第一支架中间所形成的凹杯中,二连接导线供连结发光芯片及第一、第二支架,透光层将连接导线、发光芯片及第一、第二支架的上端包覆,由此,以提供稳固定位及快速散热。

基本信息
专利标题 :
高功率发光二极管结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200720001842.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2007-01-12
授权号 :
CN201007998Y
授权日 :
2008-01-16
发明人 :
秦元正方念陆林威冲
申请人 :
东贝光电科技股份有限公司
申请人地址 :
中国台湾台北县
代理机构 :
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 :
陈肖梅
优先权 :
CN200720001842.4
主分类号 :
H01L33/00
IPC分类号 :
H01L33/00  
法律状态
2017-02-22 :
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101705411340
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2007200018424
申请日 : 20070112
授权公告日 : 20080116
终止日期 : 无
2008-01-16 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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