碳化硅二极管
授权
摘要
本实用新型提供了一种碳化硅二极管，包括碳化硅衬底、多层外延层、多个P型分压环、多个P型扩散区、肖特基势垒层、欧姆接触层、背面金属电极、正面金属电极、二氧化硅薄膜以及聚酰亚胺层；背面金属电极和碳化硅衬底均设置在欧姆接触层上；多层外延层设置在碳化硅衬底上；多层外延层的两端均设置有二氧化硅薄膜；聚酰亚胺层设置在二氧化硅薄膜上；正面金属电极的两端均设置在二氧化硅薄膜上；肖特基势垒层设置在多层外延层上。本实用新型提升了碳化硅器件的性能，使碳化硅器件的可靠性增强。
基本信息
专利标题 ：
碳化硅二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122996650.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-01
授权号 ：
CN216597592U
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
不公告发明人
申请人 ：
北京绿能芯创电子科技有限公司
申请人地址 ：
北京市顺义区中关村科技园区顺义园临空二路1号
代理机构 ：
上海段和段律师事务所
代理人 ：
施嘉薇
优先权 ：
CN202122996650.4
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/45 H01L29/872 H01L21/329 H01L21/04 H01L21/268 H01L21/324
法律状态
2022-05-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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