一种碳化硅二极管元胞结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种碳化硅二极管元胞结构，其中心填充区域为第一p型注入区，其外层填充区域为第二p型注入区，在中心填充区域与外层填充区域之间的区域为无注入n型区域，其特征在于，包括第二p型注入区的横截面呈六边形，无注入n型区域的横截面呈圆形或十二边形，第一p型注入区的横截面呈圆形或十二边形，其中：呈圆形或十二边形的无注入n型区域的元胞元胞排列组合。本实用新型有效避免球面结电场聚集导致的耐压偏低的问题，进一步提升碳化硅二极管性能，并增强了实用性。
基本信息
专利标题 ：
一种碳化硅二极管元胞结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922270391.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-17
授权号 ：
CN211719595U
授权日 ：
2020-10-20
发明人 ：
郑柳
申请人 ：
重庆伟特森电子科技有限公司
申请人地址 ：
重庆市北碚区云汉大道117号附237号
代理机构 ：
重庆中流知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
郭桂林
优先权 ：
CN201922270391.X
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/861
法律状态
2020-10-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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