一种集成栅控二极管的碳化硅MOSFET元胞版图结构
公开
摘要
本发明涉及一种集成栅控二极管的碳化硅MOSFET元胞版图结构，属于功率半导体器件技术领域。本发明采用分离栅设计，单片集成了栅控二极管；版图上将栅控二极管集成到了每一个MOSFET元胞内部，并且从图形上将栅控二极管与MOSFET的分离栅沟道设计为圆形，以解决分离栅边缘电场集中所带来的可靠性问题。为了获得更高的沟道密度，将MOSFET的外侧沟道从版图上设计成六边形。相对于传统单片集成中将主副器件分别单独布局的方法，本发明的优点在于均匀的将主器件MOSFET和集成器件栅控二极管布置到了整个有源区，使得两种器件都获得更大的有效散热面积，提高了各自的电流能力和鲁棒性。
基本信息
专利标题 ：
一种集成栅控二极管的碳化硅MOSFET元胞版图结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628497A
申请号 ：
CN202210525778.9
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-05-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
顾航高巍戴茂州
申请人 ：
成都蓉矽半导体有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市中国（四川）自由贸易试验区成都高新区天府大道中段1366号2栋9楼12-18号
代理机构 ：
成都点睛专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
敖欢
优先权 ：
CN202210525778.9
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/10 H01L29/739 H01L29/78 H01L27/02 H01L27/07
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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