具有沟槽自对准P Plus掩蔽埋层的碳化硅SBD器件元胞...
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摘要
本实用新型公开了具有沟槽自对准P Plus掩蔽埋层的碳化硅SBD器件元胞结构，所述元胞结构的外延层包括n2 Epi区、P Plus epi区以及n1 Epi区，在所述n2 Epi区中设置有若干个均匀间隔的沟槽，所述沟槽的底部设置有将所述P Plus epi区隔离成自对准的肖特基区电场掩蔽层的N+区；所述沟槽的两侧设置有与掩埋P区相连的P+区，从而形成倒T型P Plus epi区；相邻的所述倒T型P Plus epi区将中间的肖特基区半包裹屏蔽住，实现肖特基区表面电场的减弱与屏蔽。该新型倒T型p plus结构SBD器件能起到良好的肖特基区电场屏蔽保护作用，能实现较大的肖特基区面积与pplus区域面积的比例，增加单位面积的电流密度，同时有效保护肖特基接触区和增强器件的抗浪涌能力。
基本信息
专利标题 ：
具有沟槽自对准P Plus掩蔽埋层的碳化硅SBD器件元胞结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022443064.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-29
授权号 ：
CN212967714U
授权日 ：
2021-04-13
发明人 ：
宋召海
申请人 ：
华芯威半导体科技（北京）有限责任公司
申请人地址 ：
北京市大兴区经济技术开发区地盛西路6号院3号楼3层302-2
代理机构 ：
北京邦创至诚知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张宇锋
优先权 ：
CN202022443064.2
主分类号 ：
H01L29/872
IPC分类号 ：
H01L29/872 H01L29/06
法律状态
2021-04-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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