一种具有L型掩蔽层结构的碳化硅MOSFET器件
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摘要
本实用新型涉及一种具有L型掩蔽层结构的碳化硅MOSFET器件，包括从下至上依次设置的漏电极、N型掺杂衬底层、N型漂移区和P型基区，其中，所述P型基区上设置有P型源区和N型源区；所述P型基区的内部设置有槽栅结构，所述槽栅结构的底部延伸至所述N型漂移区的内部，所述槽栅结构的顶部延伸出所述P型基区的上表面；所述槽栅结构底部的拐角处设置有掩蔽层结构，所述掩蔽层结构对所述槽栅结构底部的拐角呈包裹状，且未与所述P型基区的下表面接触；所述P型源区和所述N型源区上设置有源电极；所述槽栅结构上设置有栅电极。本实用新型的碳化硅MOSFET器件，在槽栅结构底部设置了掩蔽层结构，提高了器件的击穿电压。
基本信息
专利标题 ：
一种具有L型掩蔽层结构的碳化硅MOSFET器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920793325.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-29
授权号 ：
CN209981224U
授权日 ：
2020-01-21
发明人 ：
宋庆文张玉明白瑞杰汤晓燕袁昊何艳静何晓宁韩超
申请人 ：
陕西半导体先导技术中心有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市高新区丈八街办丈八四路20号5幢16层
代理机构 ：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘长春
优先权 ：
CN201920793325.8
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/06 H01L21/336
法律状态
2020-01-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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