一种碳化硅倒T形掩蔽层结构的MOSFET器件
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摘要
本实用新型涉及一种碳化硅倒T形掩蔽层结构的MOSFET器件，该MOSFET器件包括：栅介质层；基区，位于所述栅介质层的两侧；掩蔽层，位于所述栅介质层的下表面；漂移层，位于所述基区和所述掩蔽层的下表面；衬底层，位于所述漂移层的下表面；漏极，位于所述衬底层的表面；多晶硅层，位于所述栅介质层的内表面；栅极，位于所述多晶硅层的上表面。第一源区，位于所述基区的部分区域的上表面；第二源区，位于所述基区的其余区域的上表面；源极，位于所述第一源区和所述第二源区的上表面。本实用新型的这种MOSFET器件，通过槽栅底部的P+型掩蔽层，改变了栅介质层拐角处的电场分布，降低了器件拐角处的电场集中，提高了器件的击穿电压，提高器件的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种碳化硅倒T形掩蔽层结构的MOSFET器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920793260.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-29
授权号 ：
CN210379054U
授权日 ：
2020-04-21
发明人 ：
宋庆文张玉明白瑞杰汤晓燕袁昊何艳静何晓宁韩超
申请人 ：
陕西半导体先导技术中心有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市高新区丈八街办丈八四路20号5幢16层
代理机构 ：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘长春
优先权 ：
CN201920793260.7
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L21/336 H01L29/78
法律状态
2020-04-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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