沟槽碳化硅JBS两级管器件结构
授权
摘要
本实用新型涉及一种沟槽碳化硅JBS两级管器件结构，包括第一导电类型重掺杂碳化硅衬底与碳化硅外延体区、第二导电类型体区与材料、沟槽、肖特基金属层与欧姆金属层；第一导电类型碳化硅外延体区的上表层设有多个沟槽，在沟槽的侧面、底面以及第一导电类型碳化硅外延体区的上表层设有肖特基金属层，在对应沟槽底面位置的第一导电类型碳化硅外延体区内设有阶梯形结构的第二导电类型体区，且在从下往上的方向上，第二导电类型体区的宽度呈逐级增大设置。本实用新型具有更低的器件顺向导通电压、更高的器件耐压、更低的漏电电流、更好的抗浪涌能力与更好的可靠特性。
基本信息
专利标题 ：
沟槽碳化硅JBS两级管器件结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021319189.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-07
授权号 ：
CN212750899U
授权日 ：
2021-03-19
发明人 ：
陈彦豪
申请人 ：
苏州凤凰芯电子科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市张家港市凤凰镇凤凰科技创业园E幢2楼
代理机构 ：
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹祖良
优先权 ：
CN202021319189.8
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/417 H01L29/47 H01L29/872 H01L21/28 H01L21/04 H01L21/329
法律状态
2021-03-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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