一种沟槽栅碳化硅MOSFET器件及其工艺方法
公开
摘要
本发明涉及一种沟槽栅碳化硅MOSFET器件，在N型外延层内设有纵向沟槽，所述纵向沟槽将MOSFET器件表面分割成多个元胞区域，每个所述元胞区域内的所述N型外延层上设有P型体区，所述P型体区在所述N型外延层的注入深度大于所述纵向沟槽的深度，每个所述元胞区域内除P型体区和纵向沟槽外其他区域均设有JFET区域，在所述P型体区中还设有重掺杂的N型源极，所述N型源极和纵向沟槽相接，所述P型体区表面除重掺杂的N型源极外其他区域均设有重掺杂的P型源极。本发明结构对MOSFET器件的栅氧化层提供较为全面的保护，同时改善器件JFET电阻，降低器件总导通电阻。
基本信息
专利标题 ：
一种沟槽栅碳化硅MOSFET器件及其工艺方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597257A
申请号 ：
CN202210478523.1
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-05-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朱袁正黄薛佺杨卓叶鹏
申请人 ：
南京微盟电子有限公司;无锡新洁能股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市玄武区玄武大道699-8号1号楼5楼
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202210478523.1
主分类号 ：
H01L29/423
IPC分类号 ：
H01L29/423 H01L29/16 H01L29/06 H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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